人民網南昌7月8日電 （記者秦海峰）7月8日，國家科學技術獎勵大會、兩院院士大會、中國科協第十一次全國代表大會在京召開，南昌大學江風益院士團隊完成的“V缺陷三維PN結及應用”項目榮獲國家自然科學獎一等獎。

項目屬於應用基礎研究，深耕硅基氮化鎵LED，跳出國外技術路線的延長線，走出自主研發的新路徑，提出了新理論方法，實現了技術水平躍升，從基礎研究起步做到了商品化。

項目發現，該材料量子阱區域，位錯誘導形成的大尺寸V缺陷三維結構，具有增強空穴注入量子阱和提高量子阱質量等有益作用，打破“位錯缺陷越少越好/越小越好”傳統認知。提出了V缺陷三維PN結理論方法，使PN結界面由二維發展到三維，空穴注入量子阱的路徑從勢壘高的極性面轉變為從勢壘低的半極性面，使V缺陷從有“大害”到有“小害”，再發展為有“大用”。由此，大幅提升黃光LED光效、氮化鎵紅光LED光效和藍綠光LED電注入效率。

項目開拓了純芯片LED照明技術路線（無熒光粉），產品批量應用於路橋照明和氛圍照明等場景。項目顯示芯片批量應用於特種專項裝備。項目實現了硅基氮化鎵LED與硅基電路晶圓級集成，研制成功微型顯示屏及首款黃光AR眼鏡。

項目在非共識路線上提出的理論方法，被推廣應用到量大面廣的共識路線，推進半導體發光學科和半導體照明顯示產業發展。