近日，南昌企业晶能光电成功制备了硅衬底红光Micro LED，成为国内率先实现硅衬底GaN（氮化镓）基三基色Micro LED的企业。Micro LED芯片全彩化关键技术的实现，让南昌向着点亮LED“中国芯”加速迈进。

　　随着智能手表、VR、AR、车载显示等的普及，Micro LED将成为未来万亿级显示大市场的竞争焦点。然而，Micro LED要走向大规模应用，要求高良率、高光效的红绿蓝三基色Micro LED芯片。目前，绿光和蓝光的GaN材料体系及工艺已经成熟，而红光Micro LED却面临良率和光效两方面的重大技术瓶颈。晶能光电在关键技术上的突破，是南昌市孜孜不倦抓创新的结果，体现了该市让LED“中国芯”点亮世界的矢志追求。

　　过去，在硅衬底上制备高光效LED芯片是世界级难题。17年前，经过以南昌大学江风益教授为首的研发团队不断探索、创新，硅衬底GaN基LED技术在南昌诞生，一举改变了日美公司蓝宝石衬底、碳化硅衬底芯片技术垄断的局面，闯出了LED芯片全球第三条技术路线。该团队的硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管项目由此荣获2015年度国家技术发明奖一等奖。

　　作为具有完整自主知识产权的国产芯片，硅衬底GaN基LED芯片是名副其实的“中国芯”。在南昌，“中国芯”已吸引并集聚上百家企业，形成了一个高端特种照明产业集群。特别是经过持续的技术突破和应用推广，其应用范围越来越广。

　　硅衬底GaN基LED技术对整个LED产业的影响是深刻的。十多年前，高端智能手机闪光灯LED灯珠配件的价格曾高达每粒3元。随着这一技术的出现，同样性能的闪光灯灯珠价格，已降至每粒0.5元以内。

　　经过不断的工序改善和技术迭代，南昌的LED“中国芯”显示出优良的品质。前不久，晶能光电（江西）有限公司荣获第四届中国质量奖提名奖，实现了南昌市在该奖项上零的突破。（记者钟珊珊）

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