人民網南昌3月30日電(時雨)3月28日,南昌高新區中微半導體二期生產基地現場,工人們正在利用晴好天氣抓緊建設大樓。據了解,該項目投資約10億元,佔地面積約130畝,總建筑面積約14萬平方米,計劃今年5月竣工。生產基地建成后,主要生產MOCVD、等離子體刻蝕機及半導體工業尾氣處理裝備。
(責編:邱燁、帥筠)
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